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DYNEX（快恢复二极管）的区别 DYNEX（快恢复二极管）是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200...发布时间：2014-09-21 点击次数：848 次
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DYNEX（快恢复二极管）的结构特点 DYNEX（快恢复二极管）的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承...发布时间：2014-09-19 点击次数：883 次
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DYNEX（快恢复二极管）的介绍 DYNEX（快恢复二极管）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。DYNEX（快...发布时间：2014-09-18 点击次数：977 次
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IGBT模块的发展历史 1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT模块概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MO...发布时间：2014-09-14 点击次数：807 次
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IGBT模块的输出特性与转移特性 IGBT模块的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT...发布时间：2014-09-13 点击次数：1990 次
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IGBT模块的检测 判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量...发布时间：2014-09-10 点击次数：873 次
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ABB可控硅的分类 ABB可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二...发布时间：2014-08-24 点击次数：747 次
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ABB可控硅的相关结构 大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：**层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电...发布时间：2014-08-23 点击次数：791 次
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ABB可控硅的用途 普通晶闸管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。ABB可控硅如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以*简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周...发布时间：2014-08-19 点击次数：856 次
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IGBT模块如何做好保护 众所周知，IIGBT模块是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会...发布时间：2014-08-08 点击次数：975 次
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IGBT模块保管时的注意事项 IGBT模块非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～...发布时间：2014-08-07 点击次数：797 次
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IGBT模块的测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子,显示电阻应为无穷大;表笔对调...发布时间：2014-08-06 点击次数：805 次
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IGBT模块使用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注...发布时间：2014-08-01 点击次数：840 次
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高频淬火设备中IGBT模块使用的注意要点 现代高频淬火设备一般多采用IGBT模块，通过IGBT模块可以在提高设备利用率的同时实现节能省点。IGBT模块是设备中的核心部分。下面小编来详细介绍IGBT模块的使用以及注意事项： IGBT模块的电压规...发布时间：2014-07-10 点击次数：909 次
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IGBT模块的常识 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（IsolatedGateBipolarTransistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和B...发布时间：2014-07-09 点击次数：969 次
