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可控硅的鉴别 可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有...发布时间：2015-05-14 点击次数：841 次
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IGBT模块注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意...发布时间：2015-05-11 点击次数：869 次
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FERRAZ熔断器的结构介绍 FERRAZ熔断器是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器...发布时间：2015-04-20 点击次数：853 次
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IXYS可控硅原理 IXYS可控硅是IXYS可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电...发布时间：2015-03-30 点击次数：868 次
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熔断器熔体的额定电流可按以下方法选择 熔断器（fuse）是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保...发布时间：2015-01-25 点击次数：1450 次
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IGBT模块散热技术 IGBT模块散热技术； 散热的过程1IGBT在结上发生功率损耗;2结上的温度传导到IGBT模块壳上;3IGBT模块上的热传导散热器上;4散热器上的热传导到空气中。散热环节影响散热程度影响因数解决办法1总...发布时间：2015-01-23 点击次数：903 次
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DYNEX（二极管）的正负极判别方法 在实际led节能灯焊接过程中，常遇到如何辨认DYNEX（二极管）的正负极，这部尤其重要，灯亮不亮就在他了！ **种观察法。从侧面观察两条引出线在管体内的形状．较小的是正极．其次看引脚长短也可以看出来，发...发布时间：2015-01-10 点击次数：1078 次
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DYNEX（二极管）的工作原理 DYNEX（二极管）为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而...发布时间：2015-01-08 点击次数：764 次
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INFINEON模块的介绍 INFINEON模块块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。*早是先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。 ...发布时间：2015-01-06 点击次数：880 次
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ABB可控硅的晶闸管特性 为了能够直观地认识ABB可控硅的晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在...发布时间：2014-12-20 点击次数：853 次
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ABB可控硅的特征（二） 1、关于转换电流变化率 当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况*易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电...发布时间：2014-12-17 点击次数：741 次
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ABB可控硅的特征（一） 1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发ABB可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可...发布时间：2014-12-16 点击次数：861 次
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IGBT模块的程序设计术语 在程序设计中，为完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由编译程序、装配程序等处理的独立程序单位；或指大型软件系统的一部分。 IGBT模块,又称构件,是能够单独命名并独立地完成一定功能的程序语句的...发布时间：2014-12-14 点击次数：806 次
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IGBT模块的传统保护模式 IGBT模块(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOS...发布时间：2014-12-13 点击次数：807 次
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IGBT模块的发展历程 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种...发布时间：2014-12-09 点击次数：830 次
