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技术文章
  • 可控硅的测量方法介绍 鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N...
    发布时间:2016-05-09 点击次数:305 次
  • IGBT模块的散热技术发展 IGBT模块散热技术散热的过程  1 IGBT在结上发生功率损耗;  2 结上的温度传导到IGBT模块壳上;  3 IGBT模块上的热传导散热器上;  4 散热器上的热传导到空气中。  散热环节影响散热程度影响...
    发布时间:2016-05-05 点击次数:295 次
  • ABB可控硅结构 ABB可控硅结构结构 大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:**层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极...
    发布时间:2016-04-14 点击次数:316 次
  • IGBT模块应用指南 IGBT是绝缘栅双极型晶体管( Isolated Gate Bipolar Transistor ),它是八十年代初诞生,九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身...
    发布时间:2016-04-09 点击次数:302 次
  • FERRAZ熔断器的注意事项 FERRAZ熔断器使用维修:1、熔体熔断时,要认真分析熔断的原因,可能的原因有: 1)短路故障或过载运行而正常熔断; 2)熔体使用时间过久,熔体因受氧化或运行中温度高,使熔体特性变化而误断; 3)熔体安装...
    发布时间:2016-04-05 点击次数:301 次
  • IGBT模块散热器选择及使用原则 IGBT模块散热器选择及使用原则  一、散热器选择的基本原则  1, 散热器选择的基本依据 IGBT模块散热器选择要综合根据器件的耗散功率、器件结壳热阻、接触热阻以及冷却介质温度来考虑。  2, 器件与散热器紧...
    发布时间:2016-03-28 点击次数:331 次
  • IGBT模块使用中要注意的点   由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以...
    发布时间:2016-03-18 点击次数:342 次
  • 变频器IGBT模块故障维修实况 变频器IGBT模块故障维修过程  (1) 首先更换损坏器件。将3μf /1200v电容更换后,再将隔离开关合上,给控制柜送电,控制柜没反应,电源灯不亮,电压表没有指示。  (2) 输入端接有高压熔断器,怀疑是它...
    发布时间:2016-03-14 点击次数:338 次
  • IXYS可控硅单向晶闸管的工作特性 IXYS可控硅单向晶闸管的特性,可以用以下几个主要参数来表征。  ①额定平均电流IT:在规定的条件下,晶闸管允许通过的50Hz正弦波电流的平均值。  ②正向转折电压VBo:是指在额定结温及控制极开路的条件下,在...
    发布时间:2016-03-09 点击次数:354 次
  • 可控硅的用途介绍 可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多...
    发布时间:2016-03-07 点击次数:335 次
  • IGBT模块散热器都分为哪几种优势 IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流...
    发布时间:2016-03-01 点击次数:291 次
  • IXYS可控硅的优点很多 IXYS可控硅的优点很多 (IXYS可控硅)可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等. 可控硅的弱...
    发布时间:2016-02-26 点击次数:315 次
  • IXYS可控硅有多种分类方法 (一)按关断、导通及控制方式分类:IXYS可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。(二)按引脚和极性分类:可...
    发布时间:2016-02-22 点击次数:317 次
  • IGBT模块的简介   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MO...
    发布时间:2016-02-16 点击次数:298 次
  • IGBT模块的几项新技术介绍 IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路,以降低损耗和降低成本,这种新型模块称为功率集成模块,简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关,第四代IGBT在开...
    发布时间:2016-02-03 点击次数:366 次
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