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  • 由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是(IGBT模块)IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几...
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