联系我们
联系人：王先生 郭先生 李小姐
服务专线：13522816641
电 话：010-62842129 82176483
传 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀区上地科技大厦B座1608室
欢迎登录我们的网站www.igbt88.com 查看相关的产品，
我们为你提供365天24小时5S的服务
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀区上地科技大厦B座1608室
欢迎登录我们的网站www.igbt88.com 查看相关的产品，
我们为你提供365天24小时5S的服务
文章详情
IGBT模块的输出特性与转移特性
日期：2025-04-28 13:01
浏览次数：1990
摘要：
IGBT模块的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT模块与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点：热稳定性好、**工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT模块全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极*大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
传统与新型IGBT保护模式对比
在传统的使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式，所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。那么该如何突破传统的IGBT系统电路保护设计来解决上述问题呢?
尊敬的客户：
您好，我司是一支技术力量雄厚的高素质的开发群体，为广大用户提供高品质产品、完整的解决方案和上等的技术服务公司。主要产品有 西门康IGBT ABB可控硅 BUSSMANN FERRAZ熔断器 等。 本企业坚持以诚信立业、以品质守业、以进取兴业的宗旨，以更坚定的步伐不断攀登新的高峰，为民族自动化行业作出贡献，欢迎新老顾客放心选购自己心仪的产品。我们将竭诚为您服务！
