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IGBT模块的发展简述
日期：2025-04-30 14:19
浏览次数：706
摘要：
IGBT是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET的优点，克服GTR缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR的优点，克服MOSFET的缺点）等综合优点，因此IGBT发展很快，在开关频率大于1KHz，功率大于5KW的应用场合具有优势。随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频 迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材 、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。
IGBT模块是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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