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测量可控硅的参数
日期：2025-04-28 13:01
浏览次数：1334
摘要：
可控硅的主要参数：
V G —操控极*大触发电压，指在规定环境温度下，对阳极和阴极间加上给定的正向电压（一般为6V）,使可控硅由截止转变为导通时所需要的*大触发电压。
VGN—操控极不触发电压，指在额定结温，在阳极和阴极间加上正向阻断峰值电压条件下，仍能保持可控硅处于截止状态所能加在操控极上的*大触发电压。
IG—操控极*大触发电流，指在规定的环境温度下，在阳极和阴极间加上给定的正向电压(一般为6V)，使可控硅由截止转为导通所需要的*大触发电流。
IGN—操控极不触发电流，指在规定的结温时，在阳极和阴极间加上正向阻断峰值电压，仍能保持可控硅处于截止状态所允许加在操控极上的*大触发电流。
IL—掣住电流，指在规定的环境温度，可控硅已处在导通状态时，断开触发电路后，仍能保待导通所需要的*小通态电流，它是由断态转到通态的阳极临界电流。
IH—维持电流，它是指在规定的环境温度下，可控硅已触发导通，当阳极电流下降后仍能维持通态所必须的*小电流。它是阳极电流由通态转变到断态的临界电流。可控硅的掣住电流IL约为维持电流IH的1.5—3倍。
IF—正向额定平均电流，指在规定的环境温度、散热条件、导通角(θ＞170°)情况下，允许通过元件的工频（50Hz）正弦半波电流的平均值。在正弦半波情况下，波形系数KF=1.57，如IF=100A,可控硅可通过电流的有效值为157A。如导通角不同，KF值也不相同，可按KFIF=K′FI′F一式折算，例如θ=90°，K′F=2. 22，则I′F=(1.57x100)/2.22=70A。即只能当作额定平均电流为70A的可控硅使用。
VBO—正向转折电压，指在额定的结温及操控极开路条件下，可控硅由正向阻断转为导通时，加在阳极与阴极间正弦波正向电压所对应的峰值电压。
PFV—正向阻断峰值电压，指在额定结温及操控极开路和正向阻断状态下，可重复加在元件上的正向峰值电压，比VBO小100V。
PRV—反向阻断峰值电压，指在额定结温及操控极开路条件下，可以重复加在可控硅阳极上的反向峰值电压，比反向不重复峰值电压低100V。
V G —操控极*大触发电压，指在规定环境温度下，对阳极和阴极间加上给定的正向电压（一般为6V）,使可控硅由截止转变为导通时所需要的*大触发电压。
VGN—操控极不触发电压，指在额定结温，在阳极和阴极间加上正向阻断峰值电压条件下，仍能保持可控硅处于截止状态所能加在操控极上的*大触发电压。
IG—操控极*大触发电流，指在规定的环境温度下，在阳极和阴极间加上给定的正向电压(一般为6V)，使可控硅由截止转为导通所需要的*大触发电流。
IGN—操控极不触发电流，指在规定的结温时，在阳极和阴极间加上正向阻断峰值电压，仍能保持可控硅处于截止状态所允许加在操控极上的*大触发电流。
IL—掣住电流，指在规定的环境温度，可控硅已处在导通状态时，断开触发电路后，仍能保待导通所需要的*小通态电流，它是由断态转到通态的阳极临界电流。
IH—维持电流，它是指在规定的环境温度下，可控硅已触发导通，当阳极电流下降后仍能维持通态所必须的*小电流。它是阳极电流由通态转变到断态的临界电流。可控硅的掣住电流IL约为维持电流IH的1.5—3倍。
IF—正向额定平均电流，指在规定的环境温度、散热条件、导通角(θ＞170°)情况下，允许通过元件的工频（50Hz）正弦半波电流的平均值。在正弦半波情况下，波形系数KF=1.57，如IF=100A,可控硅可通过电流的有效值为157A。如导通角不同，KF值也不相同，可按KFIF=K′FI′F一式折算，例如θ=90°，K′F=2. 22，则I′F=(1.57x100)/2.22=70A。即只能当作额定平均电流为70A的可控硅使用。
VBO—正向转折电压，指在额定的结温及操控极开路条件下，可控硅由正向阻断转为导通时，加在阳极与阴极间正弦波正向电压所对应的峰值电压。
PFV—正向阻断峰值电压，指在额定结温及操控极开路和正向阻断状态下，可重复加在元件上的正向峰值电压，比VBO小100V。
PRV—反向阻断峰值电压，指在额定结温及操控极开路条件下，可以重复加在可控硅阳极上的反向峰值电压，比反向不重复峰值电压低100V。
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