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驱动模块外围电路的改进

日期：2025-04-28 12:06

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摘要：

IGBT当关闭。发射器收集器之间。由此产生的电压上升率高达30000 v / u s。过高会产生较大的位移电流。和导致大收藏家脉冲冲击电流,很容易使动态与生活发生IGBT。为了避免IGBT的误操作,必须在IGBT门加负偏压。然而,在实际应用中,以下两个驱动电路条件将导致负偏压的消失:

(1)齐纳二极管击穿短路;

(2)驱动电路失去24 v电源。针对上述两种情况,作者根据制造商的推荐电路提高了IGBT驱动模块M57962L外围电路。在正常情况下。VZ4传导,M57962L端脚为高潜力,VD1期限。VT2传导。VO1输出在低电阻状态。如果齐纳二极管VZ1或击穿短路VZ3,VZ4截止,VO1 VT1截止,输出是高阻抗状态。如果驱动电路失去24 v电压,通过VO1 VO1输入电流,输出是高阻抗状态。

IGBT模块和滤波器电容的输入特性和场效应晶体管IGBT是相似的。高输入阻抗。如果失去电压驱动电路,IGBT电网损失负偏压。发射器是高阻抗状态。在这一点上,一旦有干扰到IGBT门,IGBT模块的上下两管同时办理。如果直接与成千上万的IGBT模块的方法过滤微电容耦合,然后滤波电容器储存的能量释放是直接由IGBT模块的上、下管,容易引起损伤的IGBT模块。因此,感应加热电源在引导首先通过对控制、驱动电路的电源、IGBT模块和滤波电容耦合。当关机IGBT模块和滤波电容断开**,在关掉控制和驱动电路的电源。

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